在半导体器件上形成环绕式接触部的方法

摘要

本发明描述了与在半导体器件上形成环绕式接触部有关的技术和方法，以及并入了这样的半导体器件的装置、系统和移动平台。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：在彼此由沟槽分隔开并且设置在衬底之上的至少两个半导体主体的源极区或漏极区或所述源极区和所述漏极区两者上沉积初始接触层的接触材料；以及再溅射所述初始接触层的所述接触材料以将所述接触材料中的至少一些接触材料再分布到所述半导体主体的位于所述沟槽内的至少一个部分上。