半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移层；第二导电型的主体层；第一导电型的源极层；第一导电型的漏极层；沟槽栅极，贯通主体层而到达漂移层；第二导电型的第一半导体层，包围沟槽栅极的底部，通过漂移层而与主体层分离；第一导电型的第二半导体层，沿着沟槽栅极的长度方向上的端部设置，该第一导电型的第二半导体层的一端部与主体层相接且另一端部与第一半导体层相接；及连接层，该连接层的一端部与主体层连接且另一端部与第一半导体层连接，并且，该连接层与第二半导体层相接，通过第二半导体层而与沟槽栅极的长度方向上的端部相隔离。

主权项

一种半导体装置，具备半导体基板，所述半导体装置的特征在于，具备：第一导电型的漂移层，设于所述半导体基板；第二导电型的主体层，设于所述半导体基板，该主体层与所述漂移层的表面相接，并且一部分露出于所述半导体基板的表面；第一导电型的源极层，设于所述半导体基板，该源极层设于所述主体层的表面的一部分，露出于所述半导体基板的表面，并通过所述主体层而与所述漂移层分离；第一导电型的漏极层，设于所述半导体基板，该漏极层与所述漂移层的背面相接，并且露出于所述半导体基板的背面；沟槽栅极，从所述半导体基板的表面贯通所述主体层而到达所述漂移层；第二导电型的第一半导体层，设于所述半导体基板，该第一半导体层包围所述沟槽栅极的底部，并通过所述漂移层而与所述主体层分离；第一导电型的第二半导体层，设于所述半导体基板，该第二半导体层沿着所述沟槽栅极的长度方向上的端部设置，且，一端部与所述主体层相接，而另一端部则与所述第一半导体层相接；及连接层，设于所述半导体基板，该连接层的一端部与所述主体层连接，而另一端部则与所述第一半导体层连接，且，该连接层与所述第二半导体层相接，并通过所述第二半导体层而与所述沟槽栅极的长度方向上的端部相隔离。