紧凑型三维存储器

摘要

本发明提出一种紧凑型三维存储器（3D-M_C）。通过在地址线上形成简易开关器件，接触通道孔可以被同一存储层中、或者不同存储层中的地址线共享。这使接触通道孔变得更稀疏，以实现稀疏通道孔。稀疏通道孔对三维集成电路（3D-IC）的实现有重要意义。

主权项

一种含有至少一堆叠在一半导体衬底(0)上第一存储层(10)的紧凑型三维存储器（3D‑M_C），该第一存储层的特征在于含有：一连续且导电的第一x地址线(11a)；一将该第一x地址线(11a)与该半导体衬底(0)耦合的接触通道孔(13ac或5a)；一连续且导电的y地址线(12a)，一第一存储器件(1aa)形成在该y地址线(12a)与该第一x地址线(11a)的交叉处；一连续且导电的第一控制线(17a)，一第一开关器件(3aa)形成在该第一控制线(17a)与该第一x地址线(11a)的交叉处，并介于该第一存储器件(1aa)和该接触通道孔(13ac或5a)之间；该第一开关器件(3aa)在第一模式下阻挡该第一x地址线(11a)中的电流流动，在第二模式下允许该第一x地址线(11a)中的电流流动。