发明名称 |
一种暗场缺陷检测设备自对准工艺窗口的校正方法 |
摘要 |
一种暗场缺陷检测设备自对准工艺窗口的校正方法,包括:步骤S1:提供测试晶圆,具有不同功能膜层厚度和面积的测试区域;步骤S2:测试不同测试区域,并收集不同反射光信号强度;步骤S3:对反射光信号强度Y进行拟合,得到拟合公式Y=αx<sup>n</sup>+βy<sup>n</sup>+γ;步骤S4:根据拟合公式,结合实际工艺生产中功能膜层之厚度和面积,推算所需的自对准光强值,进而对暗场缺陷扫描设备实现参数调整。本发明通过对不同功能膜层厚度和面积的测试区域进行多观测点测试,得到拟合公式,即可推算所需的自对准光强值,不仅有效避免因功能膜层过暗或过亮导致的自对准失效,而且可实时调整暗场缺陷检测设备之参数,保证暗场缺陷检测设备之光强值满足自对准校正的有效范围。 |
申请公布号 |
CN105931977A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201610357127.8 |
申请日期 |
2016.05.25 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
袁增艺;朱陆君;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种暗场缺陷检测设备自对准工艺窗口的校正方法,其特征在于,所述暗场缺陷检测设备自对准工艺窗口的校正方法,包括:执行步骤S1:提供测试晶圆,所述测试晶圆具有不同功能膜层厚度和不同功能膜层面积的测试区域;执行步骤S2:通过暗场缺陷扫描设备测试所述测试晶圆之不同功能膜层厚度和不同功能膜层面积的测试区域,并收集不同反射光信号强度;执行步骤S3:选定作为基准机台的暗场缺陷扫描设备,并将所述暗场缺陷扫描设备自对准失效时反射光信号强度Y之最低点定义为Y<sub>min</sub>=0,自对准失效时反射光信号强度Y之最高点定义为Y<sub>max</sub>=100,根据所述测试晶圆之不同功能膜层厚度和不同功能膜层面积,对所述反射光信号强度Y进行拟合,得到拟合公式Y=αx<sup>n</sup>+βy<sup>n</sup>+γ,其中,Y表征反射光信号强度,x表征功能膜层厚度,y表征功能膜层面积,α、β、γ为常数;执行步骤S4:根据反射光信号强度Y之拟合公式,结合实际工艺生产中功能膜层之厚度和面积,推算获得针对所述功能膜层所需要的自对准光强值,进而对暗场缺陷扫描设备实现参数调整,以保证暗场缺陷扫描设备之自对准光强值满足自对准校正的有效范围。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |