| 发明名称 | 改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双光刻处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双光刻处理方法，包括：对包含逻辑区和存储区的晶圆执行浅槽嵌壁光刻工艺，以在逻辑区形成光刻胶层；对存储区的浅沟槽隔离执行第一次部分湿法刻蚀；执行第二次浅槽嵌壁光刻工艺，由此去除第一次部分湿法刻蚀造成的光刻胶表面的不平整；对浅沟槽隔离执行第二次部分湿法刻蚀，以使得浮栅结构高出浅沟槽隔离的高度满足浅槽嵌壁深度要求；在存储区执行ONO层生长。 | ||
| 申请公布号 | CN105931994A | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201610357144.1 | 申请日期 | 2016.05.25 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 殷冠华;陈昊瑜;秦佑华 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双光刻处理方法，其特征在于包括：第一步骤：对包含逻辑区和存储区的晶圆执行浅槽嵌壁光刻工艺，以在逻辑区形成光刻胶层；第二步骤：对存储区的浅沟槽隔离执行第一次部分湿法刻蚀；第三步骤：执行第二次浅槽嵌壁光刻工艺，由此去除第一次部分湿法刻蚀造成的光刻胶表面的不平整；第四步骤：对浅沟槽隔离执行第二次部分湿法刻蚀，以使得浮栅结构高出浅沟槽隔离的高度满足浅槽嵌壁深度要求；第五步骤：在存储区执行ONO层生长。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||