发明名称 |
用于炉管热氧化生长工艺的膜厚监控装置及方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于炉管热氧化工艺的膜厚监控装置及方法,通过采用五片监控晶圆即可实现对炉管内晶圆表面热氧化生长的氧化层的生长厚度进行监控,避免了因待热氧化的晶圆掺杂浓度不同导致监控晶圆氧化层膜厚不同,影响对于生产工艺的判断,从而增强了炉管热氧化工艺中膜厚监控的稳定性,提高了监控效率。 |
申请公布号 |
CN105931975A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201610307809.8 |
申请日期 |
2016.05.11 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
徐涛;陈宏;王卉;曹子贵;陈广伦 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅 |
主权项 |
一种用于炉管热氧化工艺的膜厚监控装置,其特征在于,包括:一晶舟、五片监控晶圆以及若干待热氧化的晶圆;其中,所述晶舟顶部装载有一片监控晶圆,中部装载有上、下两片监控晶圆,底部装载有上、下两片监控晶圆,所述若干待热氧化的晶圆填充在所述顶部的监控晶圆和所述中部的上监控晶圆之间的晶舟装载区以及所述中部的下监控晶圆与所述底部的上监控晶圆之间的晶舟装载区中。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |