一种高灵敏度LVDT设计方法及应用该方法的绕线工艺

摘要

本发明涉及一种高灵敏度LVDT设计方法及应用该方法的绕线工艺，方法步骤如下：步骤一：L长线圈被分成m段，每段长为amm，每段匝数为a_k，即a₁、a₂、a₃……a_k呈等差级数排列；步骤二：根据线圈长度确定排布方式；步骤三：a＝3mm，间距0.072mm，最多只能绕41.6圈，首项a₁＝7，m＝24，公差d＝13.888，分八大部分，每部分3项，组成项数为30的等差级数；工艺步骤如下：初级绕线、次级绕线、次级Ⅱ绕线、次级Ⅰ绕线。本发明实现了将4000圈按照等差级数排列，可以设计出高达1V/mm的高灵敏度LVDT，设计的绕线空间大于标称线径，不会造成重叠、磁场干扰的情况，符合用户的使用需求。

主权项

一种高灵敏度LVDT设计方法，其特征在于：所述方法步骤如下：步骤一：L长线圈被分成m段，每段长为amm，每段匝数为a_k，即a₁、a₂、a₃……a_k呈等差级数排列；步骤二：根据线圈长度确定排布方式，排布方式如下：(1)当线圈长度为0～L/8mm时，间绕一层可以排列；(2)当线圈长度为L/8～L/4mm时，绕二层才可以排列，即第一层密绕，再加上一层间绕；(3)当线圈长度为L/4～3/8Lmm时，绕三层才可以排列，即两层密绕，加一层间绕；(4)当线圈长度为3/8L～L/2mm时，绕四层才可以排列，即三层密绕，加一层间绕；(5)当线圈长度为1/2L～5/8Lmm时，绕五层才可以排列，即四层密绕，加一层间绕；(6)当线圈长度为5/8L～3/4Lmm时，绕六层才可以排列，即五层密绕，加一层间绕；(7)当线圈长度为3/4L～7/8Lmm时，绕七层才可以排列，即六层密绕，加一层间绕；(8)当线圈长度为7/8Lmm～Lmm时，绕八层才可以排列，即七层密绕，加一层间绕；步骤三：a＝3mm，间距0.072mm，最多只能密绕41.6圈，首项a₁＝7，m＝24，公差d＝13.888，分八大部分，每部分3项，组成项数为30的等差级数。