发明名称 基准电压电路以及电子设备
摘要 基准电压电路以及电子设备。本发明的课题在于,提供能够构成适于电子设备的各种模式的电路的基准电压电路。作为解决手段,在构成基准电压电路的各晶体管之间和晶体管与电源端子之间,具有切换基准电压电路的电路结构的开关元件。
申请公布号 CN105929886A 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201610096549.4 申请日期 2016.02.22
申请人 精工半导体有限公司 发明人 前谷文彦;小池智幸
分类号 G05F1/563(2006.01)I 主分类号 G05F1/563(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种基准电压电路,其连接于第一电源线与第二电源线之间,其特征在于,所述基准电压电路具有:第一开关元件,其一端与所述第一电源线连接;第一N型耗尽型MOS晶体管,其栅极与源极连接,漏极与所述第一开关元件的另一端连接;第一N型增强型MOS晶体管,其栅极与所述基准电压电路的输出端子连接,漏极与所述第一N型耗尽型MOS晶体管的源极连接,源极与所述第二电源线连接;第二开关元件,其连接于所述第一N型耗尽型MOS晶体管的栅极与所述第一N型增强型MOS晶体管的栅极之间;第三开关元件,其一端与所述第一电源线连接;第二N型耗尽型MOS晶体管,其栅极与所述第一N型耗尽型MOS晶体管的栅极连接,漏极与所述第三开关元件的另一端连接;电阻电路,其连接于所述第二N型耗尽型MOS晶体管的源极与所述第二电源线之间;以及第四开关元件,其连接于所述第二N型耗尽型MOS晶体管的源极与所述第一N型增强型MOS晶体管的栅极之间。
地址 日本千叶县