| 发明名称 | 用于制造半导体本体的方法 | ||
| 摘要 | 提出一种用于制造半导体本体（3）的方法，其具有下述步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域（1）和设置在芯片区域（1）之间的至少一个分离区域（2），其中，半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在分离区域（2）内具有透射层（8），所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；实施下述措施中的至少一个措施：移除在分离区域（2）内的透射层（8），在分离区域内施加吸收层（16），提高在分离区域内的透射层的吸收系数；以及借助于激光沿着分离区域（2）分离芯片区域（1）。 | ||
| 申请公布号 | CN103477453B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201280018440.9 | 申请日期 | 2012.04.04 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 科比尼安·佩尔茨尔迈尔;黑里贝特·齐尔;弗朗茨·埃伯哈德;托马斯·法伊特;马蒂亚斯·肯普夫;延斯·丹尼马克 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体本体(3)的方法，具有下述步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域(1)和设置在所述芯片区域(1)之间的至少一个分离区域(2)，其中，所述半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在所述分离区域(2)内具有透射层(8)，所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；实施下述措施中的至少一个措施：在所述分离区域(2)中和在所述芯片区域(1)中局部移除所述透射层(8)，以至于在所述分离区域(2)内以及在所述芯片区域(1)内在所述透射层(8)中分别形成至少一个开口(14)，并且在分离所述芯片区域(1)之前将金属层设置在所述透射层(8)的所述开口(14)中，其中在所述芯片区域(1)的所述开口(14)中的所述金属层(15)设置为相应的所述半导体本体(3)的电接触部，或者借助于如下方法中的一种提高在所述分离区域内的所述透射层的吸收系数：将散射中心引入到所述透射层中；将掺杂材料注入到所述透射层中；湿化学改性；以及借助于激光沿着所述分离区域(2)分离所述芯片区域(1)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||