发明名称 |
基于动态自偏置电路的差分射频放大器 |
摘要 |
一种基于动态自偏置电路的差分射频放大器,包括共栅器件栅极静态偏置电路和电荷泵电路,由四个N沟道的金属氧化物半导体管、两个隔直电容、两个二极管、输出变压器、偏置电阻和负载电阻组成。本发明由放大器电路本身根据输出信号的幅度,动态地改变共栅器件的栅极电压,使得放大器电路只在输出信号幅度较大的时候,提高共栅器件的栅极电压,以达到提高最大输出功率和效率。 |
申请公布号 |
CN103187937B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201310076883.X |
申请日期 |
2013.03.11 |
申请人 |
豪芯微电子科技(上海)有限公司 |
发明人 |
冯卫锋;章国豪;李义梅 |
分类号 |
H03F3/189(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/189(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
张泽纯 |
主权项 |
一种基于动态自偏置电路的差分射频放大器,其特征在于由第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)、第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)、第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)、第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4),第一隔直电容(C1)、第二隔直电容(C2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、输出变压器(L1)、偏置电阻(R1)和负载电阻(R2)组成,上述元部件的连接关系如下:第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)和第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)的栅极为差分输入端,第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)和第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)的源极连在一起并接地;第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)为叠管,它们的源极与第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)和第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)的漏极分别连接,组成差分共源共栅结构;第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的栅极连接在一起,并和偏置电阻(R1)相连,该偏置电阻(R1)的另一端接偏置电压;所述的输出变压器(L1)的原边与所述的第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的漏极相连,所述的输出变压器(L1)的副边接所述的负载电阻(R2),所述的第一隔直电容(C1)和第一二极管(D1)的正极相联,第一隔直电容(C1)的另一端和第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)的漏极相连,第一二极管(D1)的负极和第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)的栅极相连接;所述的第二隔直电容(C2)和第二二极管(D2)正极相联,第二隔直电容(C2)的另一端和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的漏极相连,第二二极管(D2)的负极和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的栅极相连接,所述的第一隔直电容(C1)、第二隔直电容(C2)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)共同组成电荷泵电路。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼501室 |