| 发明名称 | LDMOS及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种LDMOS及其形成方法。在具有第一区域和第二区域的衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层包括光阻阵列，所述第一光阻层的光阻阵列覆盖所示第一区域并靠近所述第二区域，对所述衬底进行P阱离子注入；之后形成第二光阻层，所述第二光阻层包括光阻阵列，所述第二光阻层的光阻阵列覆盖所述第二区域并靠近所述第一区域，对所述衬底进行N阱离子注入。这能够有效的限制离子注入后的离子分布，使所形成的PN结为缓变结，这就使得BVDS可以增大。 | ||
| 申请公布号 | CN103915339B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201210592622.9 | 申请日期 | 2012.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓永平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种LDMOS的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层包括光阻阵列，所述第一光阻层的光阻阵列覆盖所述第一区域并靠近所述第二区域，暴露出所述第一区域的剩余部分；对所述衬底进行P阱离子注入；去除所述第一光阻层；在所述衬底上形成第二光阻层，所述第二光阻层包括光阻阵列，所述第二光阻层的光阻阵列覆盖所述第二区域并靠近所述第一区域，暴露出所述第二区域的剩余部分；对所述衬底进行N阱离子注入，P阱和N阱所形成的PN结为缓变结；去除所述第二光阻层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||