形成水平方向功函数可变的栅极的方法

摘要

本发明公开了一种形成水平方向功函数可变的栅极的方法，属于半导体技术领域。方法包括：在衬底上从下到上依次形成栅极介质层、栅极材料层、硬介质掩膜层；通过光刻和刻蚀，图案化所述栅极材料层上的硬介质掩膜层，形成用于刻蚀所述栅极材料层的图形；对位于刻蚀所述栅极材料层的图形两侧的栅极材料层按照设定的倾斜角度进行离子注入，以调整所述栅极材料层水平方向的功函数，形成离子掺杂区。本发明中，对位于刻蚀所述栅极材料层的图形两侧的栅极材料层按照设定的倾斜角度进行离子注入，以调整所述栅极材料层水平方向的功函数，形成离子掺杂区，从而避免了段沟道效应，消除了阈值电压的漂移，以及漏电流的增大。

主权项

一种形成水平方向功函数可变的栅极的方法，其特征在于，包括：在衬底上从下到上依次形成栅极介质层、栅极材料层、硬介质掩膜层；通过光刻和刻蚀，图案化所述栅极材料层上的硬介质掩膜层，形成用于刻蚀所述栅极材料层的图形；对位于刻蚀所述栅极材料层的图形两侧的栅极材料层按照设定的倾斜角度进行离子注入，以调整所述栅极材料层水平方向的功函数，形成离子掺杂区；其中，对位于刻蚀所述栅极材料层的图形两侧的栅极材料层按照设定的倾斜角度进行离子注入时，位于刻蚀所述栅极材料层的图形正下方的部分栅极材料层不形成离子掺杂区。