发明名称 具有改善的产量的制造较高硅烷的方法
摘要 本发明涉及用于制造六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>的一种方法,其特征在于,在含有SiCl<sub>4</sub>或GeCl<sub>4</sub>的气体中,a)借助频率为f的交流电压来生成非热等离子,并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲,其电压分量具有在上升边缘中的10V ns<sup>‑1</sup>至1kV ns<sup>‑1</sup>的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b,其中获得一种液相,以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>。
申请公布号 CN103648981B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201280034284.5 申请日期 2012.05.15
申请人 赢创德固赛有限公司 发明人 J.E.朗;H.劳莱德;E.米
分类号 C01B33/107(2006.01)I;C01G17/04(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张涛;胡莉莉
主权项 用于制造六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>的方法,其特征在于,在含有SiCl<sub>4</sub>或GeCl<sub>4</sub>的气体中,a) 借助频率f为1Hz至100MHz的交流电压来激励非热等离子,并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率g为50kHz至50MHz的至少一个电磁脉冲,该至少一个电磁脉冲的幅度为1至15kV<sub>pp</sub>,且该至少一个电磁脉冲的电压分量具有在上升边缘中的10 V·ns<sup>‑1</sup>至1 kV·ns<sup>‑1</sup>的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b,其中获得一种液相,以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>。
地址 德国埃森