发明名称 |
具有改善的产量的制造较高硅烷的方法 |
摘要 |
本发明涉及用于制造六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>的一种方法,其特征在于,在含有SiCl<sub>4</sub>或GeCl<sub>4</sub>的气体中,a)借助频率为f的交流电压来生成非热等离子,并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲,其电压分量具有在上升边缘中的10V ns<sup>‑1</sup>至1kV ns<sup>‑1</sup>的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b,其中获得一种液相,以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>。 |
申请公布号 |
CN103648981B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201280034284.5 |
申请日期 |
2012.05.15 |
申请人 |
赢创德固赛有限公司 |
发明人 |
J.E.朗;H.劳莱德;E.米 |
分类号 |
C01B33/107(2006.01)I;C01G17/04(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张涛;胡莉莉 |
主权项 |
用于制造六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>的方法,其特征在于,在含有SiCl<sub>4</sub>或GeCl<sub>4</sub>的气体中,a) 借助频率f为1Hz至100MHz的交流电压来激励非热等离子,并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率g为50kHz至50MHz的至少一个电磁脉冲,该至少一个电磁脉冲的幅度为1至15kV<sub>pp</sub>,且该至少一个电磁脉冲的电压分量具有在上升边缘中的10 V·ns<sup>‑1</sup>至1 kV·ns<sup>‑1</sup>的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b,其中获得一种液相,以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>。 |
地址 |
德国埃森 |