一种硅基气密性密封结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硅基气密性密封结构及其制造方法，该密封结构包括具备完整通孔填充第一金属、表面钝化、背面带有焊盘的硅基板，硅基板正面填充带有开口的聚合物介质层，开口内填充第二金属；聚合物介质层上表面设置金属布线层和绝缘层，所述第二金属布线层与第二金属接触形成电连接；第二绝缘层上表面贴装芯片；芯片的引脚和第二金属布线层通过键合丝形成电连接；第二金属布线层和第二金属之间直接接触形成电连接；第二金属和第一金属直接接触形成电连接；盖板通过密封材料与硅基板密封形成空腔。本发明可有效的缩小封装尺寸、提升结构强度、简化生产工艺。

主权项

一种硅基气密性密封结构的制造方法，其特征是，包括以下步骤：（1）提供具备完整通孔填充、表面钝化、背面带有焊盘的硅基板；（2）在硅基板正面涂覆聚合物介质层，通过光刻工艺在聚合物上制作开口，所述开口对应硅基板上每一个有填充第一金属的位置；（3）在硅基板正面聚合物介质层的开口内使用溅射工艺淀积种子层、电镀工艺填充第二金属；（4）在硅基板正面聚合物介质层上使用PECVD淀积钝化层、使用溅射工艺淀积金属布线层，金属布线层和第二金属之间直接接触形成电连接；（5）在硅基板正面贴装芯片、键合丝，芯片的引脚和金属布线层通过键合丝形成电连接；（6）在聚合物介质层上贴装密封材料，将盖板与硅基板以及密封材料通过合金烧结的方式进行焊接，在盖板与硅基板之间形成空腔；所述步骤所述密封材料为预成型的焊料片；所述硅基板的背面淀积有第三绝缘层。