发明名称 反向电平移动电路
摘要 本发明涉及反向电平移动电路。对高侧基准电位的变动实现稳定的反向电平移动动作。利用将高侧基准电位作为基准电位而生成的第一和第二驱动信号对晶体管(HVPMOS1、HVPMOS2)进行驱动。将晶体管(HVPMOS1、HVPMOS2)的输出信号电压变换到低侧,生成第一和第二主信号以及第一和第二屏蔽信号。屏蔽信号产生电路(6)对高侧基准电位的变动以比第一和第二屏蔽信号高的灵敏度生成第三屏蔽信号。屏蔽逻辑电路(7)对第一屏蔽信号和第二屏蔽信号进行AND运算来生成第四屏蔽信号,用第三屏蔽信号和第四屏蔽信号这两者对第一和第二主信号进行屏蔽。SR触发电路(10)根据被屏蔽的第一和第二主信号生成输出信号。
申请公布号 CN103684402B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201310371651.7 申请日期 2013.08.23
申请人 三菱电机株式会社 发明人 仲岛天贵;今西元纪;堺宪治
分类号 H03K19/0175(2006.01)I 主分类号 H03K19/0175(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种反向电平移动电路,将高侧的输入信号变换为低侧的输出信号,所述反向电平移动电路的特征在于,具备:第一脉冲电路,在所述输入信号的上升沿时输出第一脉冲信号;第二脉冲电路,在所述输入信号的下降沿时输出第二脉冲信号;第一和第二驱动电路,将高侧基准电位作为基准电位,根据所述第一和第二脉冲信号分别生成第一和第二驱动信号;第一和第二晶体管,分别由所述第一和第二驱动信号驱动;电压变换屏蔽信号产生电路,具有:将所述第一晶体管的输出信号电压变换到低侧的第一电阻,根据被电压变换后的所述第一晶体管的输出信号生成第一主信号的第一反相器,根据被电压变换后的所述第一晶体管的输出信号生成第一屏蔽信号的第一缓冲器,将所述第二晶体管的输出信号电压变换到低侧的第二电阻,根据被电压变换后的所述第二晶体管的输出信号生成第二主信号的第二反相器,以及根据被电压变换后的所述第二晶体管的输出信号生成第二屏蔽信号的第二缓冲器;屏蔽信号产生电路,对所述高侧基准电位的变动以比所述第一和第二屏蔽信号高的灵敏度生成第三屏蔽信号;屏蔽逻辑电路,对所述第一屏蔽信号和所述第二屏蔽信号进行AND运算来生成第四屏蔽信号,用所述第三屏蔽信号和所述第四屏蔽信号这两者对所述第一和第二主信号进行屏蔽;以及SR触发电路,根据被屏蔽的所述第一和第二主信号生成所述输出信号。
地址 日本东京都