| 摘要 |
본 발명은 화학 기계적 연마 장치 및 와전류 센서를 이용한 웨이퍼 도전층 두께 측정 방법에 관한 것으로, 상면에 연마 패드가 입혀지고 자전하는 연마 정반과; 상기 연마 패드에 상기 웨이퍼를 가압하면서 회전하는 연마 헤드와; 상기 연마 정반에 고정되어 연마 정반과 함께 회전하면서, 와류를 발생시키고 수신 신호를 수신하는 와전류 센서와; 상기 연마 정반에 위치 고정된 와전류 센서의 회전 위치를 감지하는 회전위치 감지수단과; 상기 와전류 센서가 상기 웨이퍼의 하측을 통과하면서 수신한 제1수신 신호로부터 상기 웨이퍼의 도전층 두께를 감지하되, 상기 회전위치 감지수단에 의해 상기 와전류 센서가 상기 웨이퍼의 가장자리를 통과하는 것으로 감지되면, 상기 와전류 센서가 상기 웨이퍼의 가장자리에 위치하는 동안에 수신한 제1수신신호를 보정하여 상기 도전층 두께를 보정하는 제어부를; 포함하여 구성되어, 와전류 센서의 유효 신호 영역의 이탈 영역을 연마 정반과 함께 회전하는 와전류 센서의 회전 위치에 따라 정확히 감지하여, 이탈 영역에 해당하는 데이터를 배제하거나 유효한 데이터로 보정함으로써, 웨이퍼의 가장자리에서의 도전층 두께를 정확히 측정할 수 있는 화학 기계적 연마 장치 및 와전류 센서를 이용한 웨이퍼 도전층 두께 측정 방법을 제공한다. |
