发明名称 |
简化的有机发射装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供具有简化结构的有机发射装置及其制造方法。包括依序堆叠的阳极、具有表面1A和与表面1A相反的表面2A的导电聚合物层、具有表面1B和与表面1B相反的表面2B的低分子发光层和阴极。阳极的表面与导电聚合物层的表面1A接触,导电聚合物层的表面2A与低分子发光层的表面1B接触,并且低分子发光层的表面2B与阴极的表面接触。 |
申请公布号 |
CN105932165A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201510828120.5 |
申请日期 |
2015.11.24 |
申请人 |
青岛金智高新技术有限公司 |
发明人 |
不公告发明人 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
青岛申达知识产权代理有限公司 37243 |
代理人 |
蒋遥明 |
主权项 |
有机发光装置,其包括:依序堆叠的阳极、具有表面1A和与所述表面1A相反的表面2A的导电聚合物层、具有表面1B和与所述表面1B相反的表面2B的低分子发光层,以及阴极,所述阳极的表面与所述导电聚合物层的所述表面1A接触,所述导电聚合物层的所述表面2A与所述低分子发光层的所述表面1B接触,并且所述低分子发光层的所述表面2B与所述阴极的表面接触。所述导电聚合物层是单层,其包括电导率为1×10<sup>‑7</sup>S/cm到小于0.1S/cm的导电聚合物和具有低表面能的材料,所述表面2A的具有低表面能的材料的浓度大于所述表面1A的具有低表面能的材料的浓度,所述表面2A的低未占据分子轨道(LUMO)能级的绝对值小于所述低分子发光层的LUMO能级的绝对值,并且所述表面2A起到防止激子猝灭的作用,并且所述低分子发光层包括低分子发光材料,并且所述低分子发光材料的电子迁移率与所述低分子发光材料的空穴迁移率相同,或所述低分子发光材料的电子迁移率比所述低分子发光材料的空穴迁移率大。 |
地址 |
266000 山东省青岛市市北区山东路109号璟台3号楼3102 |