一种闪存的编程方法

摘要

一种闪存的编程方法，所述方法包括：施加第一编程电压至待编程的闪存单元所在的源线；施加第二编程电压至所述待编程的闪存单元所在的字线；施加编程电流至所述待编程的闪存单元所在的位线；施加0V的电压至所述闪存阵列中非待编程的闪存单元所在的源线；施加0V的电压至所述闪存阵列中所述非待编程的闪存单元所在的字线；施加第三编程电压至所述闪存阵列中所述非待编程的闪存单元所在的位线；其中，所述第一编程电压以及所述编程电流的取值与热电子碰撞对编程功耗的影响相关。应用上述方案可以降低闪存阵列的编程操作时的功耗。

主权项

一种闪存的编程方法，所述闪存包括：由多个闪存单元呈阵列排布形成的闪存阵列，所述闪存阵列中位于同一行的闪存单元共用同一字线，位于同一列的闪存单元共用同一位线，相邻两行的闪存单元共用同一源线，所述闪存单元包括至少一个存储位，其特征在于，包括：施加第一编程电压至待编程的闪存单元所在的源线；施加第二编程电压至所述待编程的闪存单元所在的字线；施加编程电流至所述待编程的闪存单元所在的位线；施加0V的电压至所述闪存阵列中非待编程的闪存单元所在的源线；施加0V的电压至所述闪存阵列中所述非待编程的闪存单元所在的字线；施加第三编程电压至所述闪存阵列中所述非待编程的闪存单元所在的位线；其中，所述第一编程电压以及所述编程电流的取值与热电子碰撞对编程功耗的影响相关。