发明名称 一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法
摘要 本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法,该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极,或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极,对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜;所述铁电薄膜的电极在气体保护、300‑480℃下进行预处理。本发明首次提出通过电极的选择提高铁电薄膜抗击穿能力的思路,并提供了可行的电极。所得铁电薄膜具有很强的抗击穿能力,漏电流很低,能测到薄膜的真实铁电性能,在未来铁电薄膜的制备过程和器件应用中都具有良好的前景。
申请公布号 CN105932152A 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201610343918.5 申请日期 2016.05.20
申请人 济南大学 发明人 胡广达;闫静;蒋晓妹
分类号 H01L41/22(2013.01)I;H01L41/39(2013.01)I;C04B35/26(2006.01)I 主分类号 H01L41/22(2013.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 贾波
主权项 一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法,其特征是:以金属铝片作为铁电薄膜的电极,或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极,对电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜;所述铁电薄膜的电极在气体保护、300‑480℃下进行预处理。
地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号