发明名称 |
用于带电粒子束系统中的高电流模式与低电流模式之间的快速切换的方法 |
摘要 |
公开一种用于在带电粒子系统中具有不同射束电流的操作模式之间进行快速切换的方法。许多FIB研磨应用要求感兴趣区域(RoI)中的研磨图案的准确定位。这可通过使用RoI附近的基准标记来实现,其中周期地偏转FIB,以便在FIB研磨期间对这些标记进行成像。然后能够测量和补偿射束相对于RoI的任何漂移,从而实现FIB研磨射束的更准确定位。往往有利的是使用较低电流FIB用于成像,因为这可实现标记的图像中的更高空间分辨率。为了更快的FIB研磨,期望更大的射束电流。因此,对于FIB研磨过程的优化,一种用于在高与低电流操作模式之间进行快速切换的方法是合乎需要的。 |
申请公布号 |
CN102651299B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201210055385.2 |
申请日期 |
2012.02.24 |
申请人 |
FEI公司 |
发明人 |
T·米勒 |
分类号 |
H01J37/21(2006.01)I;H01J37/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/21(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
俞华梁;王忠忠 |
主权项 |
一种用于使用包括离子镜筒和多个限束小孔的聚焦离子束系统来研磨包含感兴趣区域附近的一个或多个基准标记的目标中的结构的方法,包括:选择第一限束小孔,以便产生具有第一电流的离子束;配置离子镜筒中的电极电压以用于将具有所述第一电流的所述离子束聚焦到所述目标上;将具有所述第一电流的所述离子束定向到所述目标上;跨所述基准标记来扫描具有所述第一电流的所述离子束,以便确定所述基准标记相对于所述离子镜筒的轴的位置;选择第二限束小孔,以便产生具有第二电流的离子束,所述第二电流大于所述第一电流;将具有所述第二电流的所述离子束定向到所述目标上,而无需重新配置所述离子镜筒中的电极电压;以及以预定图案偏转具有所述第二电流的所述离子束,以便在感兴趣区域处执行研磨过程,所述偏转考虑由具有所述第一电流的所述离子束所确定的基准标记相对于所述离子镜筒的轴的位置。 |
地址 |
美国俄勒冈州 |