用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法

摘要

本发明公开了一种用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法。该红外探测装置包括：红外光源，用于发出红外线；旋转台，用于放置待测硅块；接收器，与显示系统连接，用于接收红外线并将红外信息传输给显示系统；还包括设置在所述红外光源与硅块之间的限光片，限光片由透光区和遮光区组成，透光区和遮光区间隔设置。通过在红外光源与硅块之间设置由透光区和遮光区间隔形成的限光片，将光源分割成数个面积小于缺陷区域的小光源，解决了在缺陷后方光线汇集导致无法准确地显示出硅块内部全部缺陷的问题，达到了准确探测的目的。将该红外探测装置用于硅块内部缺陷的全方位探测，提高了硅块缺陷检测的准确度，保障了后续切片工艺的顺利进行。

主权项

一种用于探测硅块内部缺陷区域的红外探测装置，包括：红外光源(10)，用于发出红外线；旋转台，用于放置待测硅块(20)；接收器(30)，与显示系统连接，用于接收红外线并将红外信息传输给显示系统；其特征在于，还包括设置在所述红外光源(10)与所述硅块(20)之间的限光片(40)，所述限光片(40)由透光区(41)和遮光区(42)组成，所述透光区(41)和所述遮光区(42)间隔设置，其中，所述透光区(41)和所述遮光区(42)为尺寸相同的方格结构，所述方格结构的面积为S，0.5cm²≤S≤4cm²。