SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING VERTICAL STRUCTURE
摘要
예시적인 실시예에 따르면, 적어도 2개의 배리어 층을 구비한 수직 구조물을 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법은 기판을 제공하는 단계, 기판 위에 수직 구조물을 제공하는 단계, 수직 구조물의 소스, 채널 및 드레인 위에 제1 배리어 층을 제공하는 단계, 및 수직 구조물의 드레인 및 게이트 위에 제2 배리어 층을 제공하는 단계를 포함한다.
申请公布号
KR101655618(B1)
申请公布日期
2016.09.07
申请号
KR20140181818
申请日期
2014.12.16
申请人
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人
펭 치 탕;후앙 타이 천;차이 텡 천;린 쳉 텅;첸 디 팡;왕 리 팅;왕 치엔 슌;린 후안 저스트;루 영 쳉;리 체 리앙
