| 发明名称 | 有机发光显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供有机发光显示装置，包括：缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度；薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述薄膜晶体管的源电极以及漏电极连接至所述活性层；发光层，形成于所述像素电极上；以及相对电极，隔着所述发光层与所述像素电极相对地设置。 | ||
| 申请公布号 | CN102456705B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201110050250.2 | 申请日期 | 2011.02.28 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 崔宝京;曹圭湜;文相皓;崔埈厚;柳春其;朴鲜;朴锺贤;李律圭 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种有机发光显示装置，包括：缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个形成为具有不同的厚度；薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述源电极以及漏电极连接于所述活性层；发光层，形成于所述像素电极上；以及相对电极，隔着所述发光层，与所述像素电极相对地设置，其中，所述多个绝缘膜中的每个均位于所述活性层和所述像素电极下方。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||