发明名称 |
一种flash烧录方法和装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种flash烧录方法和装置,应用于电子技术领域。一种flash烧录方法,包括:获取用于配置目标flash的配置信息,标识目标flash的坏块,所述配置信息包括系统分区的分区长度;根据所述配置信息以及目标flash标识的坏块对目标flash进行分区,使目标flash获得的系统分区中,非坏块与所述配置信息中系统分区的分区长度相对应;将烧录数据对应的烧录到目标flash的分区中。本发明实施例提供的一种flash烧录方法和装置稳定高效。 |
申请公布号 |
CN103064710B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201210575973.9 |
申请日期 |
2012.12.26 |
申请人 |
深圳市诺威达科技有限公司 |
发明人 |
黄维权;梁迪 |
分类号 |
G06F9/445(2006.01)I |
主分类号 |
G06F9/445(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 |
代理人 |
唐华明 |
主权项 |
一种flash烧录方法,其特征在于,包括:获取用于配置目标flash的配置信息,标识目标flash的坏块,所述配置信息包括系统分区的分区长度;根据所述配置信息以及目标flash标识的坏块对目标flash进行分区,使目标flash获得的系统分区中,非坏块与所述配置信息中系统分区的分区长度相对应;将烧录数据对应的烧录到目标flash的分区中;其中,所述根据所述配置信息以及目标flash标识的坏块对目标flash进行分区具体包括:检测目标flash标识的坏块,对目标flash进行分区获得系统分区的起始地址和结束地址,使其非坏块对应配置信息中系统分区的分区长度;根据所述配置信息以及目标flash标识的坏块对目标flash进行分区,获得各个分区的起始地址和结束地址;更新系统分区表;将系统分区表烧录到目标flash的对应位置。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新南一道013号赋安科技大楼B栋403室 |