CIS芯片及其形成方法

摘要

一种器件包括半导体衬底、位于半导体衬底的正面处的图像传感器以及位于图像传感器上方的多个介电层。滤色器和微透镜设置在多个介电层上方并且与图像传感器对准。通孔穿透半导体衬底。再分布线(RDL)设置在多个介电层上方，其中，RDL与通孔电连接。聚合物层覆盖RDL。本发明还提供了CIS芯片及其形成方法。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；图像传感器，位于所述半导体衬底的正面处；多个介电层，位于所述图像传感器上方；通孔，穿透所述半导体衬底；绝缘层，所述绝缘层包括位于所述通孔开口的侧壁和底部上的第一部分和位于所述多个介电层上方的第二部分；第一再分布线，位于所述多个介电层和所述绝缘层上方，所述第一再分布线与所述通孔电连接；以及聚合物层，覆盖所述第一再分布线，其中，所述聚合物层具有与所述绝缘层的第二部分接触的底面，其中，所述聚合物层与所述第一再分布线的顶面和侧壁接触，以将所述第一再分布线与损坏所述第一再分布线和所述通孔的有害物质隔离。