一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法，方法在衬底依次生长GaN或AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及AlGaN极化掺杂层，并对AlGaN极化掺杂层刻蚀后制作源极、漏极及栅极，以得到增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明在生长AlGaN极化掺杂层时，令Al组分沿生长方向线性变少，实现了极化p型掺杂，可以使沟道层中的二维电子气完全耗尽，同时，刻蚀掉栅极以外的极化掺杂AlGaN帽层，保证了器件工作时具有低的通态电阻。

主权项

一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S1，在一衬底上生长GaN或AlN成核层；S2，在所述GaN或AlN成核层上生长GaN缓冲层；S3，在所述GaN缓冲层上生长GaN沟道层；S4，在所述GaN沟道层上生长AlN插入层；S5，在所述AlN插入层上生长AlGaN势垒层；S6，在所述AlGaN势垒层上生长AlGaN极化掺杂层，其中，所述AlGaN极化掺杂层中Al组分沿生长方向线性变少；S7，对所述AlGaN极化掺杂层进行刻蚀，刻蚀掉栅极区域以外的AlGaN极化掺杂层，以使AlGaN势垒层的部分表面露出；S8，在所述AlGaN势垒层所露出的表面上分别制作源极和漏极，并在所述AlGaN极化掺杂层上制作栅极，得到AlGaN/GaN晶体管。