发明名称 |
一种射频收发芯片的静电保护电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种射频收发芯片的静电保护电路,所述静电保护电路包含第一电阻R<sub>1</sub>、第二电阻R<sub>2</sub>、第三电阻R<sub>3</sub>、第一电容C<sub>1</sub>、第一NMOS管M<sub>1</sub>、第一NPN三极管Q<sub>1</sub>和第一PNP三极管Q<sub>2</sub>。本实用新型在射频收发芯片版图相邻的两个端口静电防护电路之间的隔离区域中,将原来单纯的电源V<sub>CC</sub>和地V<sub>SS</sub>连接线加入电源到地的静电保护电路,提供了一个电源V<sub>CC</sub>到地V<sub>SS</sub>的放电通路,缩短了邻近射频I/O端口在PS测试模式下放电通路路径。 |
申请公布号 |
CN205564738U |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201620281029.6 |
申请日期 |
2016.04.06 |
申请人 |
江苏星宇芯联电子科技有限公司 |
发明人 |
许美程;沈剑均 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种射频收发芯片的静电保护电路,其特征在于所述静电保护电路包含第一电阻R<sub>1</sub>、第二电阻R<sub>2</sub>、第三电阻R<sub>3</sub>、第一电容C<sub>1</sub>、第一NMOS管M<sub>1</sub>、第一NPN三极管Q<sub>1</sub>和第一PNP三极管Q<sub>2</sub>,电源V<sub>CC</sub>通过串接的第一电容C<sub>1</sub>和第三电阻R<sub>3</sub>后接地V<sub>SS</sub>,第一电容和第三电阻相接于节点A;第一NMOS管M<sub>1</sub>的栅极连接节点A,第一NMOS管M<sub>1</sub>的源极接地V<sub>SS</sub>,第一NMOS管M<sub>1</sub>的漏极连接节点B;第一电阻R<sub>1</sub>连接在电源V<sub>CC</sub>和节点B之间;第一PNP三极管Q<sub>2</sub>的发射极连接节点B,第一PNP三极管Q<sub>2</sub>的基极连接节点C,第一PNP三极管Q<sub>2</sub>的集电极接地V<sub>SS</sub>;第一NPN三极管Q<sub>1</sub>的基极连接节点B,第一NPN三极管Q<sub>1</sub>的集电极连接电源V<sub>CC</sub>,第一NPN三极管Q<sub>1</sub>的发射极连接节点C,第二电阻R<sub>2</sub>连接在节点C与地V<sub>SS</sub>之间。 |
地址 |
210000 江苏省南京市栖霞区甘家边东108号1幢201室 |