发明名称 | 一种MIM电容 | ||
摘要 | 本实用新型涉及半导体器件,一种MIM电容,可抑制MIM电容的上下极板互连产生漏电,同时还在形成下极板时避免下极板所在的金属层之上的绝缘材料被刻蚀成不规则的形状。在一个基底之上由下至上依次形成下部金属层、第一介质层和上部金属层,上部金属层被图案化成一个上部电容极板,下部金属层被图案化成一个下部电容极板,第一介质层被刻蚀成上下电容基板间的层间介质层。 | ||
申请公布号 | CN205564739U | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
申请号 | CN201620137258.0 | 申请日期 | 2016.02.23 |
申请人 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 发明人 | 赵仲文 |
分类号 | H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
主权项 | 一种MIM电容,其特征在于,包括:设置在一个基底之上的下部金属层;由下部金属层图案化所分割开而定义出的下部电容极板和金属互联线;设置在下部电容极板的上表面的局部区域之上的一个上部电容极板和位于上部电容极板、下部电容极板两者间的层间介质层;附着在上部电容极板及层间介质层各自侧壁处的电绝缘的侧墙。 | ||
地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号 |