| 发明名称 | 用于制造有机电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造包括有机层(120)的电子器件的方法。根据此方法，具有作为第一和第二外层的金属层(130)和有机层(120)的堆叠通过蚀刻这两个外层被结构化。在一个具体实施例中，通过透过结构化隔离10层(150)的电流生长，可以在最外金属层(130)上产生附加金属层(140)。在移除所述隔离层(150)之后，附加金属层(140)的开口中的金属(130)可以被蚀刻。在另一蚀刻步骤中，所述开口中的有机材料(120)也可以被移除。 | ||
| 申请公布号 | CN103155197B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201180049521.0 | 申请日期 | 2011.10.06 |
| 申请人 | OLED工厂有限责任公司 | 发明人 | S.哈特曼恩;H.里夫卡 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李亚非;汪扬 |
| 主权项 | 一种用于制造电子器件(100，200)的方法，所述方法包括下述步骤：a)制作层堆叠，该层堆叠包括作为第一和第二外层之一的金属层(130，230)和作为第一和第二外层中的另一个的有机层(120，220)；b)在第一外层(130，230)上沉积结构化保护层(140，240)，其中该结构化保护层包括附加金属层(140)和薄膜封装材料；c)在沉积结构化保护层(140，240)之后，通过蚀刻结构化所述第一外层和所述第二外层(120，130，220，230)。 | ||
| 地址 | 德国亚琛 | ||