| 发明名称 | 可控硅整流器（SCR）、制造方法和设计结构 | ||
| 摘要 | 此处公开了可控硅整流器（SCR）、制造方法和设计结构。所述方法包括在绝缘体上硅（SOI）晶片（28）的掩埋绝缘体层（28b）上形成公共P阱（2）。所述方法进一步包括在所述公共P阱中形成多个可控硅整流器（SCR）10，以便所述多个SCR中的每个的N+扩散阴极（20）通过所述公共P阱耦合在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN103283028B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201280004484.6 | 申请日期 | 2012.01.06 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·J·阿布-卡利尔;K·V·查蒂;R·J·戈希尔;李军俊 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种制造半导体结构的方法，包括：在绝缘体上硅晶片的掩埋绝缘体层上形成公共P阱；在所述公共P阱中形成多个可控硅整流器，以便所述多个可控硅整流器中的每个的N+扩散阴极通过所述公共P阱耦合在一起，其中形成所述多个可控硅整流器包括在所述绝缘体上硅晶片的上硅膜中形成N阱，每个所述N+扩散阴极位于每个所述N阱的相对侧；在所述公共P阱中形成P阱接触；以及在所述公共P阱中围绕所述多个可控硅整流器中的每个提供连接每个所述P阱接触的P+扩散。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||