| 发明名称 | 具有低膨胀系数差异的微机电装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有低膨胀系数差异的微机电装置，采用互补式金氧半导体制程所制作，其包含一固定单元、一活动单元、及一连接结构。固定单元包括一第一电容感应区和一固定结构区。活动单元包括一第二电容感应区和一质量块区，其中该第一电容感应区可和第二电容感应区构成电容，且该质量块区为单一材料结构。连接结构用以连接固定该活动单元，此连接结构容许该活动单元可相对于该固定单元而移动。 | ||
| 申请公布号 | CN103869099B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201210530237.1 | 申请日期 | 2012.12.10 |
| 申请人 | 原相科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡明翰;刘育嘉;方维伦 |
| 分类号 | G01P15/125(2006.01)I;G01P15/18(2013.01)I;B81B3/00(2006.01)I | 主分类号 | G01P15/125(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种具有低膨胀系数差异的微机电装置，采用互补式金氧半导体制程所制作，其特征在于，该微机电装置包含：一固定单元，包括一第一电容感应区和一固定结构区；一活动单元，包括一第二电容感应区和一质量块区，其中该第一电容感应区可和第二电容感应区构成电容，且该质量块区为单一材料结构；以及一连接结构，用以连接固定该活动单元，此连接结构容许该活动单元可相对于该固定单元而移动。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||