发明名称 具有高反射率电极的发光二极管及其制作方法
摘要 本发明公开了一种具有高反射率电极的发光二极管及其制作方法,涉及半导体器件技术领域。包括蓝宝石基板;位于蓝宝石基板上表面的N型层,所述N型层上设有凸台;位于N型层凸台上表面的发光层,位于凸台右侧的N型层上表面的N电极;位于发光层上表面的P型层,所述P型层的上表面设有圆柱形的布拉格反射层,所述布拉格反射层的上表面积小于P型层的表面积,所述布拉格反射层的外侧设有将其包裹并具有开孔的电流扩展层,在所述电流扩展层上设有P电极。所述发光二极管使用复合电极结构,可以有效地提高芯片的出光率,同时使用反射率较高的金属材料代替传统发光二极管中的电极材料大幅度降低了生产成本。
申请公布号 CN103700742B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201310696698.0 申请日期 2013.12.18
申请人 同辉电子科技股份有限公司 发明人 李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;孟丽丽
分类号 H01L33/10(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/10(2010.01)I
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人 米文智
主权项 一种具有高反射率电极的发光二极管,包括蓝宝石基板(200);位于蓝宝石基板(200)上表面的N型层(201),所述N型层(201)上设有凸台;位于N型层(201)凸台上表面的发光层(202),位于凸台右侧的N型层(201)上表面的N电极(214);位于发光层(202)上表面的P型层(203),其特征在于:所述P型层(203)的上表面设有圆柱形的布拉格反射层(204),所述布拉格反射层(204)的上表面积小于P型层(203)的上表面积,所述布拉格反射层(204)的外侧设有将其包裹并具有开孔的电流扩展层(208),在所述电流扩展层(208)上设有P电极(209);所述N电极(214)和P电极(209)从下到上依次为金属粘附层(210)、金属反射层(211)、金属隔离层(212)以及金属电极层(213);所述金属粘附层(210)选用材料为Cr,厚度为1‑3nm;所述金属反射层(211)选用材料为AlSi,厚度为300‑800nm;所述金属隔离层(212)选用材料为Ti,厚度为50‑100nm;所述金属电极层(213)选用材料为Au,厚度为500‑1000nm。
地址 050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号