发明名称 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
摘要 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,所述阵列基板的有源层图案和像素电极为通过一次构图工艺形成。通过本发明的技术方案,能够减少制备阵列基板时构图工艺的次数,提高生产效率,降低制作成本。
申请公布号 CN103700663B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201310680760.7 申请日期 2013.12.12
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 刘圣烈;宋泳锡;金熙哲;崔承镇
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;黄灿
主权项 一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括薄膜晶体管和像素电极,其特征在于,所述制作方法包括:在一衬底基板上形成透明半导体膜层;对所述透明半导体膜层进行第一次构图工艺和掺杂工艺,形成包括薄膜晶体管的有源层图案和像素电极的图案;所述对所述透明半导体膜层进行第一次构图工艺和掺杂工艺,形成包括薄膜晶体管的有源层图案和像素电极的图案的步骤,包括:在透明半导体膜层上涂覆光刻胶;利用半色调或灰阶调掩膜版对光刻胶进行曝光,显影,形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域,其中,光刻胶完全保留区域至少对应薄膜晶体管的有源层图案所在的区域,光刻胶部分保留区域至少对应像素电极所在的区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;通过刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的透明半导体膜层;通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶,露出该区域的透明半导体膜层;对光刻胶部分保留区域的透明半导体膜层进行掺杂工艺,用于提高该区域透明半导体膜层的导电率,形成像素电极;剥离剩余的光刻胶,形成薄膜晶体管的有源层图案。
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