借由倾斜注入在P沟道晶体管的主动区域中形成源极与漏极架构

摘要

本发明涉及借由倾斜注入在P沟道晶体管的主动区域中形成源极与漏极架构，在主动区域往往相对周围隔离区域具有明显表面形貌的复杂P沟道晶体管中，在形成深源极与漏极区域时借由倾斜注入可获得优越的性能。较佳地，倾斜角度为20度角或更小。较佳地，该角度是作为为朝向栅极电极结构的方向，从而实质上避免将横向掺杂物过度穿透到敏感的沟道区域中。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其包括：将注入工序在存在栅极电极结构的情况下执行，以透过半导体器件的p沟道晶体管的主动区域的第一侧壁与第二侧壁引入源极与漏极掺杂物种类，该主动区域将借由相对该主动区域凹入的隔离区域横向包覆，其中，该第一与第二侧壁定义该主动区域的宽度，该注入工序是执行于平面，该平面垂直于该主动区域的顶部表面并平行于该主动区域的宽度方向；将金属硅化物形成在该主动区域中；以及将注入掩膜使用在执行该注入工序时以覆盖第二主动区域，其中，该第二主动区域上形成有不平行于该栅极电极结构的第二栅极电极结构。