| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。具体地，提供了一种使栅极中的材料向沟道施加应力以增强载流子迁移率的实现方案，即在栅极绝缘层与栅极金属之间形成能够向沟道施加拉伸应力或压缩应力的功函数材料层，以便增强nMOS场效应晶体管或pMOS场效应晶体管的沟道载流子迁移率，或者在栅极绝缘层和功函数材料层上形成能够向沟道施加拉伸应力的栅极金属，以便增强nMOS场效应晶体管的沟道载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN103779413B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201210398918.7 | 申请日期 | 2012.10.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 魏小薇 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层被形成在衬底凹槽的内壁上；功函数材料层，能够向沟道施加拉伸应力或压缩应力；以及栅极金属，其中，所述栅极绝缘层、所述功函数材料层和所述栅极金属被依次形成；所述半导体器件还包括：在所述功函数材料层与所述栅极金属之间的阻挡层，以及所述功函数材料层、所述阻挡层、所述栅极金属共同形成的表面上的第二金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||