电感耦合等离子体装置

摘要

本发明涉及一种电感耦合等离子体装置，包括：反应腔室，用于与放置在其中的晶片进行等离子体处理反应；淋气头，设于反应腔室上部，其包括至少一进气口，用于向反应腔室通入反应气体；至少一组电感耦合线圈，临近于反应腔室设置，用于通过匹配器外接射频电源以向反应腔室施加射频功率；以及屏蔽装置，临近于电感耦合线圈设置，用于将射频功率屏蔽于第一空间内以作用于反应气体而产生等离子体，等离子体经自由扩散通过第二空间与晶片进行反应；其中，第一空间、第二空间分别位于反应腔室内，呈上下分布并相互连通。本发明使得等离子体中的电子温度明显降低，从而显著弱化了物理性刻蚀反应；并有利于实现反应腔室中等离子体的均匀分布。

主权项

一种电感耦合等离子体装置，包括：反应腔室，用于与放置在其中的晶片进行等离子体处理反应；淋气头，设于所述反应腔室上部，其包括至少一进气口，用于向所述反应腔室通入反应气体；至少一组电感耦合线圈，临近于所述反应腔室设置，用于通过匹配器外接射频电源以向所述反应腔室施加射频功率；以及屏蔽装置，临近于所述电感耦合线圈设置，用于将所述射频功率屏蔽于第一空间内以作用于所述反应气体而产生等离子体，所述等离子体经自由扩散通过第二空间与所述晶片进行反应；其中，所述第一空间、第二空间分别位于所述反应腔室内，呈上下分布并相互连通；其中，所述淋气头底面包括至少一凸起部，所述电感耦合线圈和屏蔽装置埋设于所述凸起部中，所述第一空间为所述凸起部围成的凹陷空间，所述第二空间为所述第一空间下方的反应腔室空间；所述屏蔽装置包括至少一组与所述电感耦合线圈一一对应的金属横片，设置于所述电感耦合线圈正下方，所述金属横片沿所述电感耦合线圈长度方向延伸。