| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；以及形成于化合物半导体复合结构上的电极，其中化合物半导体复合结构包括在产生二维电子气的部分下方的p型半导体层，并且p型半导体层包括比p型半导体层的其它部分包含有更大量的离子化受主的部分，所述部分位于电极下方。 | ||
| 申请公布号 | CN103367422B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201310073197.7 | 申请日期 | 2013.03.07 |
| 申请人 | 创世舫电子日本株式会社 | 发明人 | 多木俊裕 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；以及形成在所述化合物半导体复合结构上的电极，其中所述化合物半导体复合结构包括在产生有所述二维电子气的部分下方的p型半导体层，以及所述p型半导体层包括位于所述电极下方的部分以及在位于所述电极下方的所述部分两侧的其它部分，其中位于所述电极下方的所述部分包含有比所述其它部分更大量的离子化受主。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||