发明名称 |
等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
摘要 |
本发明提供一种具备高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理装置以及使用了高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置,具备:处理室,进行等离子体处理;气体供给单元,对所述处理室供给工艺气体;高频电源,供给用于对供给到所述处理室内的工艺气体进行等离子体化的高频电力;以及光检测器,检测在所述处理室内生成的等离子体的发光,所述离子体处理装置的特征在于:所述光检测器具备:检测部,在规定的曝光时间的期间,检测通过脉冲调制了的高频电力生成的等离子体的发光;以及控制部,进行控制以使在各所述曝光时间内检测的所述等离子体的发光的量成为恒定。 |
申请公布号 |
CN103811249B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201310045137.4 |
申请日期 |
2013.02.05 |
申请人 |
株式会社日立高新技术 |
发明人 |
安藤阳二;小野哲郎;臼井建人 |
分类号 |
H01J37/244(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/244(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
许海兰 |
主权项 |
一种等离子体处理装置,具备:处理室,进行等离子体处理;高频电源,对所述处理室内供给用于生成等离子体的高频电力;以及光检测器,在规定的曝光时间的期间,检测所述等离子体的发光,所述等离子体处理装置的特征在于,还具备控制部,在由所述光检测器检测通过被脉冲调制了的高频电力生成的等离子体的发光的情况下,所述控制部控制各所述曝光时间,以使各所述曝光时间内的所述等离子体的ON时间成为恒定。 |
地址 |
日本东京都 |