发明名称 一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法
摘要 本发明提供了一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法,通过以纯硒粉和纯镓粉为原材料,在高温下进行化学反应得到多晶硒化镓材料。将硒化镓多晶放入三温区炉中通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后,再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。
申请公布号 CN105926032A 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201610491437.9 申请日期 2016.06.29
申请人 南京安京太赫光电技术有限公司 发明人 邱俊
分类号 C30B11/02(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I 主分类号 C30B11/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法,其特征在于以稍过量的纯硒粉和纯镓粉为原材料,合成硒化镓多晶后,通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后,再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。
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