发明名称 | 一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法,通过以纯硒粉和纯镓粉为原材料,在高温下进行化学反应得到多晶硒化镓材料。将硒化镓多晶放入三温区炉中通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后,再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。 | ||
申请公布号 | CN105926032A | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
申请号 | CN201610491437.9 | 申请日期 | 2016.06.29 |
申请人 | 南京安京太赫光电技术有限公司 | 发明人 | 邱俊 |
分类号 | C30B11/02(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/02(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法,其特征在于以稍过量的纯硒粉和纯镓粉为原材料,合成硒化镓多晶后,通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后,再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。 | ||
地址 | 211300 江苏省南京市高淳区高淳经济开发区古檀大道3号6号楼 |