半導体装置

摘要

半導体基板（１）上の活性領域に設けられた一本以上のゲートフィンガ（２０）と、活性領域に設けられ、ゲートフィンガ（２０）を挟んで交互に配置されたソースフィンガ（３０）及びドレインフィンガ（４０）とを備えた半導体装置において、ゲートフィンガ（２０）の入力端子（２１ａ）から入力される信号の周波数において誘導性インピーダンスとなり、当該ゲートフィンガ（２０）の当該入力端子（２１ａ）の接続位置から離れた箇所で当該ゲートフィンガに直接又は間接的に接続された終端回路（６０）を備えた。