清洗方法和处理装置

摘要

在抑制在被处理体的表面上形成的图案的塌陷或被处理体的表面的膜粗糙化等对被处理体造成的损伤的同时易于去除附着于被处理体的表面的微粒等附着物。作为前处理，向晶圆（W）供给氟化氢的蒸气而使晶圆（W）的表面的自然氧化膜（11）溶解，从而使附着于上述自然氧化膜（11）的表面的附着物（10）成为自表面浮起的状态。之后，自压力比晶圆（W）所处的气氛的压力高的区域供给与基底膜（12）之间不具有反应性的二氧化碳气体，该气体通过绝热膨胀而被冷却到冷凝温度以下而产生气体团簇。然后，通过将该气体团簇以非离子化的状态向晶圆（W）照射，去除附着物（10）。

主权项

一种清洗方法，在该清洗方法中，自附着有附着物的被处理体的表面去除附着物，上述被处理体是表面形成有由作为凹部的槽和作为凸部的线构成的图案的、由硅构成的基板，其特征在于，该清洗方法包括以下工序：进行包括蚀刻处理的前处理，上述蚀刻处理为对被处理体的表面和附着物之间的氧化物进行蚀刻；自压力比被处理体所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射与暴露于上述被处理体的表面的膜之间不具有反应性的清洗用气体，通过绝热膨胀生成上述清洗用气体的作为原子的聚集体的气体团簇或上述清洗用气体的作为分子的聚集体的气体团簇；以及向进行了上述前处理后的被处理体的表面照射清洗用气体的气体团簇而去除附着物。