一种超薄3D封装的半导体器件、其加工方法以及加工方法中的半成品

摘要

本发明揭示了一种超薄3D封装的半导体器件、其加工方法以及加工方法中的半成品，包括超薄基板，超薄基板的顶面设置有至少一个上芯片，上芯片通过键合线和键合点与超薄基板连接通信，超薄基板的顶面上还设置有包裹所述上芯片、键合线和键合点的塑封层；超薄基板的底面倒装有下芯片，下芯片的底面位于所述超薄基板底面设置的锡球的最低点所在平面的上方。本发明通过倒装工艺将下芯片安装于超薄基板的底部，能够实现整个封装体的尺寸大幅缩小，整个封装体的高度能够只有800μm，远远低于焊球阵列封装的1200‑1400μm的高度；下芯片位于开放结构中散热效率大大提高；省去了普通的倒装芯片封装工艺中下基板的结构，成本减低，并且布线相对简单。

主权项

一种超薄3D封装的半导体器件，包括超薄基板（1），其特征在于：所述超薄基板（1）的顶面设置有至少一个上芯片（2），所述上芯片（2）通过键合线（3）和键合点（4）与超薄基板（1）连接并通信，所述超薄基板（1）的顶面上还设置有包裹所述上芯片（2）、键合线（3）和键合点（4）的塑封层（5）；所述超薄基板（1）的底面倒装有下芯片（6），所述下芯片（6）的底面位于所述超薄基板（1）底面设置的锡球（7）的最低点所在平面的上方。