| 发明名称 | 半导体晶圆铝压焊点键合结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体晶圆铝压焊点键合结构，至少包括键合于所述半导体晶圆上的铝层以及设置于所述铝层外的金属介质层，所述金属介质层从内向外依次包括镍层和钯层；所述镍层的厚度为3‑5μm，所述钯层的厚度为0.1‑0.3μm。本实用新型易于在半导体单晶圆铝压焊点上形成金属间化合物且不易形成柯肯德尔空洞。 | ||
| 申请公布号 | CN205564735U | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201620348433.0 | 申请日期 | 2016.04.22 |
| 申请人 | 上海纪元微科电子有限公司 | 发明人 | 朱勇 |
| 分类号 | H01L23/49(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人 | 杜忠福 |
| 主权项 | 一种半导体晶圆铝压焊点键合结构，至少包括键合于所述半导体晶圆上的铝层以及设置于所述铝层外的金属介质层，其特征在于，所述金属介质层从内向外依次包括镍层和钯层；所述镍层的厚度为3‑5μm，所述钯层的厚度为0.1‑0.3μm。 | ||
| 地址 | 200435 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路351号 | ||