发明名称 | 半导体器件和控制系统 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体器件和一种控制系统。为了提高半导体器件的安全性,半导体器件包括:基于从外部供给的电源电压生成内部电源电压的调压器单元;在上述内部电源电压下工作的内部电路;监测向上述内部电路供给的电源电流的电流检测单元;以及用来控制上述内部电路的工作的控制单元,在半导体器件中,在上述电流检测单元检测到上述电源电流超过预定的阈值时,上述控制单元根据限制上述内部电路的工作。 | ||
申请公布号 | CN103376815B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
申请号 | CN201310136758.3 | 申请日期 | 2013.04.19 |
申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 渡边一希;丹野洋祐 |
分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 高科 |
主权项 | 一种半导体器件,包括:基于从外部供给的电源电压生成内部电源电压的调压器单元;在上述内部电源电压下工作的内部电路;监测向上述内部电路供给的电源电流的电流检测单元;以及用来控制上述内部电路的工作的控制单元,其中,上述内部电路包含用于执行程序的数据处理单元;在上述电流检测单元检测到上述电源电流超过预定的阈值时,上述电流检测单元输出表示这一情况的检测结果;上述控制单元根据上述检测结果限制上述内部电路的工作;上述调压器单元包括:向上述内部电路供给上述内部电源电压的第1MOS晶体管,和调整上述第1MOS晶体管的栅极电压以使上述内部电源电压保持恒定的放大器单元;上述电流检测单元包括:栅极电压与上述第1MOS晶体管的栅极电压相等的第2MOS晶体管,和基于流过上述第2MOS晶体管的电流确定上述电源电流是否超过预定的阈值的确定单元。 | ||
地址 | 日本东京 |