| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一氮化物半导体发光器件，至少包含：衬底；由氮化物半导体分别形成的n型层、发光层和p型层依次叠层于所述衬底之上；电流扩展层，其具有由两层以上u型氮化物半导体层叠层而成的多层结构，在所述各u型氮化物半导体层之间的界面处形成n型掺杂，其掺杂浓度大于或等于1×10<sup>18 </sup>cm<sup>‑3</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN103730555B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201310721515.6 | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 天津三安光电有限公司 | 发明人 | 董木森;申利莹;刘晓峰;张东炎;张洁;王笃祥 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 氮化物半导体发光器件，包含：衬底，由氮化物半导体分别形成的n型层、发光层和p型层依次叠层于所述衬底之上；其特征在于：还包括电流扩展层，其具有至少由两层u型氮化物半导体层叠层而成的多层结构，在所述各u型氮化物半导体层之间的界面处形成n型掺杂，其掺杂浓度大于或等于1×10<sup>18</sup>cm<sup>‑3</sup>。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号 | ||