| 摘要 |
본 개시물에 설명된 finFET 디바이스들의 웰들을 도핑하기 위한 메커니즘들의 실시예들은 웰 영역들을 도핑하기 위하여 도핑된 필름들을 성막하는 것을 이용한다. 메커니즘들은 도핑된 웰 영역들 옆에 채널 영역들 내의 낮은 도펀트 농도를 유지하는 것을 가능하게 한다. 결과적으로, 트랜지스터 성능은 크게 향상될 수 있다. 메커니즘은 트랜지스터들에 대한 격리 구조물들을 형성하기 이전에 도핑된 필름들을 성막하는 것을 수반한다. 도핑된 필름들 내의 도펀트들은 핀들 근처의 웰 영역들을 도핑하는데 사용된다. 격리 구조물들은 유동성 유전체 재료로 채워지며, 유동성 유전체 재료는 마이크로파 어닐링의 사용으로 실리콘 산화물로 변환된다. 마이크로파 어닐링은 도펀트 확산을 야기하지 않고 유동성 유전체 재료의 실리콘 산화물로의 변환을 가능하게 한다. 부가적인 웰 주입들이 딥 웰들을 형성하기 위하여 수행될 수 있다. 마이크로파 어닐링(들)은 기판 및 핀들 내의 결함들을 어닐링하는데 사용될 수 있다. |
