具有低温AlInN插入垒层的氮化物发光二极管外延片及其生产工艺

摘要

具有低温AlInN插入垒层的氮化物发光二极管外延片及其生产工艺，涉及半导体光电器件领域，本发明在制作时，于量子垒插入低温AlInN垒层，通过纳米级坑洞结构，增大了发光层发光面积，同时利用量子点限制效应降低QCSE，改善In并入提升电子和空穴的复合效率，其次，靠近N型氮化物第一个发光层AlInN插入垒层设置金属反射层可使发光层射向衬底的光线被反射提升正面出光；同时，低温非掺杂氮化物层修复发光层表面，并起到空穴注入聚集和电流扩展作用，提高载流子注入均匀性；较AlGaN材料发光层极化效应降低，同时可以限制电子溢出，降低大电流下效率骤降效应。

主权项

具有低温AlInN插入垒层的氮化物发光二极管外延片，包括衬底、依次位于衬底上方的低温氮化物缓冲层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、发光层、低温氮化物层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于所述发光层从下至上依次包括量子垒层和量子阱层，量子垒层包括低温AlInN插入垒层和GaN垒层，量子垒层和量子阱层周期交替设置，所述低温AlInN插入垒层、GaN垒层和InGaN量子阱层的表面分别设置纳米级坑洞结构；在靠近N型氮化物层的至少一个量子垒层中设置低温AlInN插入垒层，并在靠近N型氮化物层的第一个低温AlInN插入垒层表面设置金属反射层，低温氮化物层设置于发光层之上，所述低温氮化物层为非掺杂的低温氮化物层。