发明名称 | 真空阀及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明的真空阀具有:由氧化铝陶瓷制成的筒状的真空绝缘容器(1)、密封真空绝缘容器(1)的两端开口部的密封金属零件(2、3)、收纳在真空绝缘容器(1)中的接触分离自由的一对接点(5、6)。真空绝缘容器(1)具有:氧化铝基材层(1c)、通过再加热而设置在基材层(1c)的内外周表面的促进氧结合的氧化促进层(1a、1b)。通过氧化促进层(1a、1b),氧结合缺少的氧缺少部被修复,抑制真空绝缘容器(1)的带电。 | ||
申请公布号 | CN105934808A | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
申请号 | CN201580005420.1 | 申请日期 | 2015.01.07 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 浅利直纪;佐藤纯一;塩入哲;关森裕希 |
分类号 | H01H33/662(2006.01)I | 主分类号 | H01H33/662(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吴宗颐 |
主权项 | 真空阀,其具备:具有氧化氧化铝基材层和设置在上述基材层的内外周表面的促进氧结合的氧化促进层的筒状的真空绝缘容器,分别密封上述真空绝缘容器的两端的开口部的密封金属零件,和收纳在上述真空绝缘容器中的接触分离自由的一对接点。 | ||
地址 | 日本东京都 |