Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinheit mit einem Low-k-Abstandshalter

摘要

Verfahren zum Bilden einer Einheit, aufweisend: Bereitstellen eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats (110); Bilden eines Platzhalter-Gate-Stapels (111) auf dem SOI-Substrat (110); Bilden von Platzhalter-Abstandhaltern (155) in Nachbarschaft zu dem Platzhalter-Gate-Stapel (111); Bilden erhöhter Source/Drain(RSD)-Zonen (160) auf dem SOI-Substrat (110) in Nachbarschaft zu den Platzhalter-Abstandhaltern (155); Bilden einer Zwischenschichtdielektrikums(ILD)-Schicht (165) auf den Platzhalter-Abstandhaltern (155) und den RSD-Zonen (160); Entfernen des Platzhalter-Gate-Stapels (111) und der Platzhalter-Abstandhalter (155); Bilden von Low-k-Abstandhaltern (175) in Nachbarschaft zu den RSD-Zonen (160), wobei die Low-k-Abstandhalter (175) in die ILD-Schicht (165) eingebettet werden; und Bilden eines Ersatz-Gate-Stapels auf dem SOI-Substrat (110), wobei der Ersatz-Gate-Stapel eine Gate-Dielektrikums-Schicht (185) auf dem SOI-Substrat (110) und eine Gate-Leiter-Schicht (190) auf der Gate-Dielektrikums-Schicht (185) umfasst.