| 摘要 |
본 발명은 반도체 장치 및 반도체 장치의 데이터 감지 방법에 관한 것으로, 상기 반도체 장치는 적어도 하나의 비트 라인과 적어도 하나의 워드 라인이 교차하는 영역에 배치되는 적어도 하나의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 및 적어도 하나의 메모리 셀에 저장된 데이터를 감지하는 감지부를 포함하고, 감지부는 가변적인 전압 레벨을 가지는 제어 신호 및 적어도 하나의 비트 라인의 전압 레벨을 기초로 하여 적어도 하나의 비트 라인과 감지 라인 사이의 연결을 제어하는 연결 제어부, 및 감지 라인의 전압을 기준 전압과 비교하여 적어도 하나의 메모리 셀에 저장된 데이터를 감지하는 감지 증폭부를 포함한다. |
